介紹集成電路電磁兼容測試的兩種方法

　　1.引言

　　集成電路相關技術作為具有發展前景的技術，已經成為世界具有發展前景的高科技技術，一個國的集成電路發展水平能衡量整體的科技水平，目前受到國的高度重視，特別是關于集成電路的芯片研發領域。

　　近年來，國內越來越多的科研機構、高校院所、IC企業研發部門等逐步關注和從事集成電路的電磁兼容性（ICEMC）研究。

　　目前關于ICEMC的相關研究國外起步較早，發展較快，已經形成比較完善的理論體系以及先進的測試研究設備，像歐洲的法國、德國、美國等，亞洲的韓國、日本，新加坡。

　　國內的相關的ICEMC研究目前集中于高校院所，如國防科技大學、浙江大學、解放軍信息工程大學、中科院微電子所等，近年來也取得了重要成果。

　　2.電磁敏感度

　　電磁兼容性分為電磁干擾（EMI）和電磁敏感度（EMS）。簡單的說，EMI指的是待測設備影響其它設備正常工作產生的電磁輻射，EMS指的是設備抵御外界電磁輻射干擾的能力。

　　目前關于電磁敏感度測試分為多個項目，如傳導、輻射、靜電放電、電快速脈沖群、浪涌等。本文介紹其中兩種測試方法。

　　3.電磁敏感度測試方法

　　3.1傳導抗擾度

　　傳導抗擾度測試主要分為直接功率注入法、大電流注入法。這里介紹直接功率注入法。

　　直接功率注入法，通過干擾源產生干擾脈沖，經過功放、定向耦合器、注入網絡，進而注入電磁兼容測試設備。通過失效判據來判斷設備的功能狀態，確定注入電壓的大小，具體配置參考IEC62132。